英伟达收下 Groq 后，下一代芯片改堆 DRAM

一颗推理芯片上塞了 500MB 缓存，另一颗 GPU 挂着 288GB 显存。差 500 倍。这个差距，才是这轮架构转向的真正起因。

一、发生了什么

据集微 10 月 22 日报道，韩国媒体 ZDNet Korea 援引半导体业界消息称，被英伟达实质收购的 Groq，正评估在下一代芯片中放弃 SRAM，改用 3D 堆叠 DRAM 封装，方案名为 3DS。

技术路径是：用硅通孔在 DRAM 内部打孔做垂直互连，把多层裸片摞起来。它和 HBM 一样用堆叠工艺，但目标不同——HBM 追求传输速率，3DS 保留标准 DRAM 接口，重点放在扩容。

背景是那笔收购。Groq 由谷歌 TPU 核心设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，2025 年 12 月被英伟达以非独家技术许可加团队的方式拿下，交易规模约 200 亿美元，团队与创始人均并入，公司主体继续独立运营。这是英伟达历史上最大的一笔。

为什么非转不可，报道给了一组对比：Groq 现役 LPU 每颗约 500MB 片上 SRAM，带宽最高 150TB/s；而英伟达 Rubin GPU 单颗配 288GB HBM4。前者约为后者的 1/500。要跑千亿参数模型，只能靠大量芯片并联。

还有一条被反复引用的产业事实：从 5 纳米到 3 纳米，计算单元面积能缩约 1.6 倍，SRAM 单元面积只减少约 5%。靠制程给缓存扩容，路已经快走完了。

二、跟你有什么关系

算推理成本的人。 容量决定一张卡能装多大的模型，也就决定单 token 成本。这条路线若成，中端卡的可用场景会变宽。

做 AI 芯片的团队。 大 SRAM 路线不是 Groq 一家在转。Cerebras 预告的 CS-6 也把 DRAM 层堆到计算晶圆上，d-Matrix 更早押注 3D DRAM。方向已经不只是个案。

盯存储供应链的。 3DS 保留标准 DRAM 接口，意味着它吃的是现有 DRAM 产能和 TSV 封装产能，会挤占 HBM 之外的另一块蛋糕。

三、怎么判断这条消息的分量

1. 先看信源等级。这是韩媒引述业界人士，不是英伟达或 Groq 的官方发布。当成方向判断可以，当成产品规格不行。
2. 看动机是否成立。SRAM 容量天花板是真的，模型参数还在涨，这条逻辑闭环。
3. 看时间表。报道没有给出量产节点。TSV 在 DRAM 上打数千微孔，良率和成本都是硬门槛。
4. 看它落在哪条产品线。是 Groq 的 LPU 线，不是英伟达的 GPU 主线。两条线的存储方案不能混着读。

四、三个别信的说法

「英伟达下一代 GPU 要用 3D 堆叠 DRAM 了」。 报道说的是 Groq 的下一代 LPU。GPU 主线仍走 HBM，英伟达另有一条定制 HBM 的路在推。两件事别拼成一条。

「3D DRAM 比 HBM 更快」。 定位相反。3DS 牺牲一部分速率换容量，保留标准接口是为了接现有的 DRAM 配套，不是冲着带宽纪录去的。

「SRAM 要被淘汰了」。 转向的是混合层级：SRAM 继续做靠近计算的高速缓存，DRAM 负责装下模型。把两者对立起来，会误判下一代芯片的形态。

五、一句话结论

这不是一次提速，是一次扩容：推理芯片的竞争点，正从算得多快转向装得多大。

信息来源

• 弃 SRAM 改 3D 堆叠 DRAM，2026 年 10 月 22 日
• Groq 下一代芯片传改用堆叠 DRAM，2026 年 10 月 21 日

功能与价格以官方公告为准。本文写于 2026 年 10 月 23 日。